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单MOSFET晶体管 / STS4DPFS30L
- 价格 起订量
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- 型号： STS4DPFS30L
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET P-Ch 30 Volt 5 Amp
- 库存地点： 内地
- 库存： 703
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A Tc
- Power Dissipation (Max)：2.5W Tc
- Turn Off Delay Time：125 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2.5V @ 250μA
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- 系列：STripFET™
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 电压 - 额定直流：-30V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：-5A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：STS4D
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：25 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：55m Ω @ 2.5A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1350pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：16nC @ 5V
- 上升时间：35ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±16V
- 下降时间（典型值）：35 ns
- 连续放电电流(ID)：5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：16V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.095Ohm
- 漏源击穿电压：-30V
- 场效应管特性：Schottky Diode (Isolated)
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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