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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDMS86101E
- 价格 起订量
- ￥ 20.74558 1+
- ￥ 19.57130 10+
- ￥ 18.46349 100+
- ￥ 17.41839 500+
- ￥ 16.43244 1000+
- 型号： FDMS86101E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： FET 100V 8.0 MOHM PQFN56
- 库存地点： 内地
- 库存： 5
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 20.74558
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12.4A Ta 60A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 104W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 零件状态：活跃
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8m Ω @ 13A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3000pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：55nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- Vgs（最大值）：±20V
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