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单MOSFET晶体管 / STDLED623

  • 价格 起订量
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  • ¥ 0 500+
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  • 型号: STDLED623
  • 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 描述: MOSFET N-Ch 620V 3.0 Ohm 3.0A DPAK
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 427
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:18 Weeks
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 引脚数:3
  • 质量:3.949996g
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:3A Tc
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
  • Power Dissipation (Max):45W Tc
  • Turn Off Delay Time:21 ns
  • 操作温度:150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 零件状态:活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 基本部件号:STDLE
  • 通道数量:1
  • 接通延迟时间:8 ns
  • 场效应管类型:N-Channel
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:3.6 Ω @ 1.1A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:350pF @ 50V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:15.5nC @ 10V
  • 上升时间:4.4ns
  • Vgs(最大值):±30V
  • 下降时间(典型值):22 ns
  • 连续放电电流(ID):3A
  • 栅极至源极电压(Vgs):30V
  • 漏源击穿电压:620V
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant

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