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单MOSFET晶体管 / IPD65R1K4C6ATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 8.44840 1+
- ￥ 7.97019 10+
- ￥ 7.51905 100+
- ￥ 7.09344 500+
- ￥ 6.69193 1000+
- 型号： IPD65R1K4C6ATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; 28.4W; PG-TO252-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 11327
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.44840
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 供应商器件包装：PG-TO252-3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：28W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：CoolMOS™ C6
- 已出版：2008
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.4Ohm @ 1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：225pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10.5nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：650V
- Vgs（最大值）：±20V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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