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单MOSFET晶体管 / 2N7002LT7G
- 价格 起订量
- ￥ 1.21543 1+
- ￥ 1.14664 10+
- ￥ 1.08173 100+
- ￥ 1.02050 500+
- ￥ 0.96274 1000+
- 型号： 2N7002LT7G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： NFET SOT23 60V 115MA 7.5O
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.21543
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：115mA Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：225mW Ta
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.5 Ω @ 500mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：50pF @ 25V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.115A
- DS 击穿电压-最小值：60V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：5 pF
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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