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单MOSFET晶体管 / STFILED524
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： STFILED524
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Full Pack, I2Pak
- 描述： MOSFET N-CH 525V 4A I2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 347
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：42 Weeks
- 包装/外壳：TO-262-3 Full Pack, I2Pak
- 安装类型：通孔
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Turn Off Delay Time：21 ns
- Power Dissipation (Max)：20W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Tc
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子位置：SINGLE
- 基本部件号：STFILE
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.6 Ω @ 2.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：340pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12nC @ 10V
- 上升时间：7ns
- 漏源电压 (Vdss)：525V
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：14 ns
- 连续放电电流(ID)：4A
- JEDEC-95代码：TO-281
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4A
- DS 击穿电压-最小值：525V
- 雪崩能量等级（Eas）：110 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
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