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单MOSFET晶体管 / IPD50N04S408ATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 7.08729 1+
- ￥ 6.68612 10+
- ￥ 6.30766 100+
- ￥ 5.95063 500+
- ￥ 5.61380 1000+
- 型号： IPD50N04S408ATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin TO-252 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 10000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.08729
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 表面安装：YES
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 安装类型：表面贴装
- 晶体管元件材料：SILICON
- Power Dissipation (Max)：46W Tc
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：50A Tc
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2010
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 参考标准：AEC-Q101
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.9m Ω @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 17μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1780pF @ 6V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：22.4nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- Vgs（最大值）：±20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：50A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0079Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：200A
- DS 击穿电压-最小值：40V
- 雪崩能量等级（Eas）：55 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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