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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IGLD60R070D1AUMA1
- 价格 起订量
- ￥ 101.36809 1+
- ￥ 95.63027 10+
- ￥ 90.21724 100+
- ￥ 85.11060 500+
- ￥ 80.29302 1000+
- 型号： IGLD60R070D1AUMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-LDFN Exposed Pad
- 描述： IC GAN FET 600V 60A 8SON
- 库存地点： 内地
- 库存： 9800
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 101.36809
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-LDFN Exposed Pad
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：15A Tc
- Power Dissipation (Max)：114W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：CoolGaN™
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 场效应管类型：N-Channel
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 2.6mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：380pF @ 400V
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：-10V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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