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单MOSFET晶体管 / CSD17313Q2T
- 价格 起订量
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- 型号： CSD17313Q2T
- 厂商： Texas Instruments
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-WDFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET N-CH 30V 5A
- 库存地点： 内地
- 库存： 30
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-WDFN Exposed Pad
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：3V 8V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.4W Ta 17W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：NexFET™
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：无铅
- 基本部件号：CSD17313
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：30m Ω @ 4A, 8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：340pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：2.7nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：+10V, -8V
- 连续放电电流(ID)：5A
- 阈值电压：1.3V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：5A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.042Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：57A
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 雪崩能量等级（Eas）：18 mJ
- 反馈上限-最大值 (Crss)：17 pF
- 长度：2mm
- 宽度：2mm
- 器件厚度：750μm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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