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单MOSFET晶体管 / FDB24AN06LA0
- 价格 起订量
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- 型号： FDB24AN06LA0
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 439
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 供应商器件包装：TO-263AB
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.8A Ta 40A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Power Dissipation (Max)：75W Tc
- Turn Off Delay Time：28 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2004
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：60V
- 额定电流：36A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：75W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：19mOhm @ 40A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1850pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：21nC @ 5V
- 上升时间：101ns
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：49 ns
- 连续放电电流(ID)：40A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：60V
- 输入电容：1.85nF
- 漏源电阻：20mOhm
- 最大rds：19 mΩ
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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