简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / CSD25303W1015
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： CSD25303W1015
- 厂商： Texas Instruments
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-UFBGA, DSBGA
- 描述： MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
- 库存地点： 内地
- 库存： 12500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-UFBGA, DSBGA
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.5W Ta
- Turn Off Delay Time：11.3 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：NexFET™
- 无铅代码：no
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：BALL
- 基本部件号：CSD25303
- 引脚数量：6
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.5W
- 接通延迟时间：3.9 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：58m Ω @ 1.5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：435pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：4.3nC @ 4.5V
- 上升时间：8.6ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±8V
- 下降时间（典型值）：7.8 ns
- 连续放电电流(ID)：3A
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：3A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.092Ohm
- 漏源击穿电压：-20V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
相关产品
