简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDMS8050
- 价格 起订量
- ￥ 38.46848 1+
- ￥ 36.29102 10+
- ￥ 34.23681 100+
- ￥ 32.29888 500+
- ￥ 30.47064 1000+
- 型号： FDMS8050
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET PT8 N 30/20 in Powerclip 56 Single
- 库存地点： 内地
- 库存： 8002
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 38.46848
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 质量：56.5mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：55A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：156W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 750μA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- HTS代码：8541.29.00.95
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- JESD-30代码：R-PDSO-N5
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：0.65m Ω @ 55A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：22610pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：285nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- JEDEC-95代码：MO-240AA
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：55A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.00065Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：400A
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 雪崩能量等级（Eas）：1536 mJ
- 达到SVHC：not_compliant
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
