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单MOSFET晶体管 / FDD6776A
- 价格 起订量
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- 型号： FDD6776A
- 厂商： Rochester Electronics, LLC
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： N-CHANNEL POWER MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17.7A Ta 30A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.7W Ta 39W Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：COMMERCIAL
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.5m Ω @ 17.7A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1.49pF @ 13V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：29nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- Vgs（最大值）：±20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：17.7A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0075Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：100A
- DS 击穿电压-最小值：25V
- 雪崩能量等级（Eas）：32 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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