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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDMS86183
- 价格 起订量
- ￥ 13.94725 1+
- ￥ 13.15778 10+
- ￥ 12.41300 100+
- ￥ 11.71038 500+
- ￥ 11.04753 1000+
- 型号： FDMS86183
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 2495
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 13.94725
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：20 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 质量：68.1mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：51A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Power Dissipation (Max)：63W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 90μA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：12.8m Ω @ 16A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1515pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：14nC @ 6V
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- Vgs（最大值）：±20V
- RoHS状态：符合RoHS标准
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