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单MOSFET晶体管 / FDB6670AS
- 价格 起订量
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- 型号： FDB6670AS
- 厂商： Rochester Electronics, LLC
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： N-CHANNEL POWER MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：62A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：62.5W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- 端子表面处理：未说明
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：COMMERCIAL
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8.5m Ω @ 31A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1.57pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：39nC @ 15V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：62A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0085Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：150A
- DS 击穿电压-最小值：30V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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