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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STB35N65DM2
- 价格 起订量
- ￥ 29.48833 1+
- ￥ 27.81917 10+
- ￥ 26.24450 100+
- ￥ 24.75897 500+
- ￥ 23.35752 1000+
- 型号： STB35N65DM2
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： NCHANNEL 650 V 0.094 OHM TYP. 28
- 库存地点： 内地
- 库存： 2000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 29.48833
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：28A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：210W Tc
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 250μA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：MDmesh™ M2
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STB35N
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：110m Ω @ 14A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2400pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：54nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：650V
- Vgs（最大值）：±25V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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