简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STP75N3LLH6
- 价格 起订量
- ￥ 9.30949 1+
- ￥ 8.78254 10+
- ￥ 8.28541 100+
- ￥ 7.81643 500+
- ￥ 7.37399 1000+
- 型号： STP75N3LLH6
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 1649
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.30949
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：75A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：60W Tc
- Turn Off Delay Time：37 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：DeepGATE™, STripFET™ VI
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：SINGLE
- 基本部件号：STP75N
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：60W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：9.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5.9m Ω @ 37.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2030pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：23.8nC @ 4.5V
- 上升时间：30ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：12 ns
- 连续放电电流(ID)：75A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0084Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：300A
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
STP75N3LLH6 STMicroelectronics- STP85N3LH5 STMicroelectronics
- STP90NF03L STMicroelectronics
IPP055N03LGXKSA1 Infineon Technologies- IPP042N03LGXKSA1 Infineon Technologies
