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单MOSFET晶体管 / CSD18509Q5B
- 价格 起订量
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- 型号： CSD18509Q5B
- 厂商： Texas Instruments
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
- 库存地点： 内地
- 库存： 78270
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 触点镀层：Gold
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.1W Ta 195W Tc
- Turn Off Delay Time：57 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：NexFET™
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：CSD18509
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：3.1W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：9 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.2m Ω @ 32A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：13900pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：195nC @ 10V
- 上升时间：19ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：11 ns
- 连续放电电流(ID)：38A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：40V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：400A
- 雪崩能量等级（Eas）：345 mJ
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 反馈上限-最大值 (Crss)：354 pF
- 高度：1.05mm
- 长度：5mm
- 宽度：6mm
- 器件厚度：950μm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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