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MOSFETs 晶体管阵列 / DMC1029UFDB-7
- 价格 起订量
- ￥ 7.89846 1+
- ￥ 7.45138 10+
- ￥ 7.02960 100+
- ￥ 6.63170 500+
- ￥ 6.25632 1000+
- 型号： DMC1029UFDB-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-UDFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.89846
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Gold
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-UDFN Exposed Pad
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.6A 3.8A
- Number of Elements：2
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：1.4W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N and P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：29m Ω @ 5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：914pF @ 6V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：19.6nC @ 8V
- 漏源电压 (Vdss)：12V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：3.8A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.029Ohm
- DS 击穿电压-最小值：12V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Standard
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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