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MOSFETs 晶体管阵列 / NVDD5894NLT4G
- 价格 起订量
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- 型号： NVDD5894NLT4G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- 描述： MOSFET NFET DPAK 40V 64A 10 MOHM
- 库存地点： 内地
- 库存： 1465
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LIFETIME (Last Updated: 11 hours ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- 引脚数：5
- 质量：329.988449mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：14A
- Turn Off Delay Time：36 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：3.8W
- Reach合规守则：not_compliant
- 接通延迟时间：12.4 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual) Common Drain
- Rds On(Max)@Id,Vgs：10m Ω @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2103pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：41nC @ 10V
- 上升时间：30.2ns
- 下降时间（典型值）：54 ns
- 连续放电电流(ID)：64A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：40V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Standard
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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