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MOSFETs 晶体管阵列 / ITD50N04S4L07ATMA1
- 价格 起订量
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- 型号： ITD50N04S4L07ATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- 描述： ITD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
- 库存地点： 内地
- 库存： 17
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：1 Week
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：PG-TO252-5-311
- 终端数量：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- 厂商：Infineon Technologies
- Package：Bulk
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：50A (Tc)
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：ITD50N04S4L07ATMA1
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：2
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.73
- Drain Current-Max (ID)：50 A
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- JESD-609代码：e3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 参考标准：AEC-Q101
- JESD-30代码：R-PSSO-G4
- 配置：COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 功率 - 最大：46W (Tc)
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.2mOhm @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 18μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2480pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：33nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-252
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0072 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：200 A
- DS 击穿电压-最小值：40 V
- 雪崩能量等级（Eas）：45 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
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