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MOSFETs 晶体管阵列 / FDD8424H-F085A
- 价格 起订量
- ￥ 4.08627 1+
- ￥ 3.85497 10+
- ￥ 3.63677 100+
- ￥ 3.43091 500+
- ￥ 3.23671 1000+
- 型号： FDD8424H-F085A
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- 描述： MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 43
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.08627
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 23 hours ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- 引脚数：5
- 质量：260.37mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9A 6.5A
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2006
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：1.3W
- 基本部件号：FDD8424
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：30W
- 接通延迟时间：7 ns
- 场效应管类型：N and P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：24m Ω @ 9A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1000pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：20nC @ 10V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：6.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：20A
- 漏源击穿电压：40V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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