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MOSFETs 晶体管阵列 / ECH8675-TL-H
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: ECH8675-TL-H
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: MOSFETs 晶体管阵列
- 封装: 8-SMD, Flat Lead
- 描述: MOSFET PCH PCH 1.8V DRIVE SERIES
- 库存地点: 内地
- 库存: 355
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:8-SMD, Flat Lead
- 引脚数:8
- Turn Off Delay Time:69 ns
- 操作温度:150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2012
- JESD-609代码:e6
- 无铅代码:yes
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 最大功率耗散:1.5W
- 引脚数量:8
- 功率耗散:1.3W
- 接通延迟时间:8.4 ns
- 场效应管类型:2 P-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs:46m Ω @ 3A, 4.5V
- 无卤素:无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:670pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:7.3nC @ 4.5V
- 上升时间:45ns
- 漏源电压 (Vdss):20V
- 下降时间(典型值):63 ns
- 连续放电电流(ID):4.5A
- 栅极至源极电压(Vgs):10V
- 漏源击穿电压:-20V
- 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性:逻辑电平门
- 高度:900μm
- 长度:2.9mm
- 宽度:2.3mm
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:符合RoHS标准
- 无铅:无铅
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