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MOSFETs 晶体管阵列 / BSL806NH6327XTSA1
- 价格 起订量
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- 型号： BSL806NH6327XTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： MOSFET 2 N-CH 20V 2.3A TSOP6-6
- 库存地点： 内地
- 库存： 33000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.3A Ta
- Number of Elements：2
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：雪崩 额定
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 参考标准：AEC-Q101
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率 - 最大：500mW
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：57m Ω @ 2.3A, 2.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 11μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：259pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1.7nC @ 2.5V
- 最大双电源电压：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.057Ohm
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Logic Level Gate, 1.8V Drive
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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