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MOSFETs 晶体管阵列 / FDMS3606AS
- 价格 起订量
- ￥ 22.63151 1+
- ￥ 21.35048 10+
- ￥ 20.14196 100+
- ￥ 19.00185 500+
- ￥ 17.92628 1000+
- 型号： FDMS3606AS
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH POWER STAGE, 30V, 40A, POWER56 - More Details
- 库存地点： 内地
- 库存： 18000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 22.63151
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 质量：90mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A 27A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：36 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：7
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：1W
- 端子位置：QUAD
- JESD-30代码：R-PQFP-N7
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 箱体转运：排水源头
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8m Ω @ 13A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1695pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：29nC @ 10V
- 上升时间：5.5ns
- 下降时间（典型值）：3.4 ns
- 连续放电电流(ID)：27A
- 阈值电压：2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.3A
- 漏源击穿电压：30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 反馈上限-最大值 (Crss)：75 pF
- 高度：1.05mm
- 长度：5mm
- 宽度：6mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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