简体中文
图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDMS3660S
- 价格 起订量
- ￥ 14.46031 1+
- ￥ 13.64180 10+
- ￥ 12.86962 100+
- ￥ 12.14115 500+
- ￥ 11.45392 1000+
- 型号： FDMS3660S
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 1156
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 14.46031
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 质量：171mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：30A 60A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：19 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：2.5W
- 终端形式：FLAT
- 基本部件号：FDMS3660S
- JESD-30代码：R-PDSO-F6
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 箱体转运：排水源头
- 接通延迟时间：7.7 ns
- 功率 - 最大：1W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8m Ω @ 13A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1765pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：29nC @ 10V
- 连续放电电流(ID)：30A
- 阈值电压：1.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：13A
- 漏源击穿电压：30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 栅源电压：1.5 V
- 反馈上限-最大值 (Crss)：70 pF
- 高度：1.1mm
- 长度：5mm
- 宽度：5.9mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FDMS3660S ON Semiconductor
IRFH7914TRPBF Infineon Technologies
NTD70N03RT4G ON Semiconductor
