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MOSFETs 晶体管阵列 / FDS9933BZ
- 价格 起订量
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- ￥ 4.58979 10+
- ￥ 4.32999 100+
- ￥ 4.08490 500+
- ￥ 3.85368 1000+
- 型号： FDS9933BZ
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET -20V 2.5V Dual P-Ch PowerTrench
- 库存地点： 内地
- 库存： 10752
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.86518
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 质量：230.4mg
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：59 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2008
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：900mW
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：1.6W
- 场效应管类型：2 P-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：46m Ω @ 4.9A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：985pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：15nC @ 4.5V
- 上升时间：9.3ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 下降时间（典型值）：9.3 ns
- 连续放电电流(ID)：4.9A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：20V
- 场效应管特性：逻辑电平门
- RoHS状态：符合RoHS标准
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