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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDW2501N
- 价格 起订量
- ￥ 8.39473 1+
- ￥ 7.91956 10+
- ￥ 7.47128 100+
- ￥ 7.04838 500+
- ￥ 6.64941 1000+
- 型号： FDW2501N
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- 描述： MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 374187
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.39473
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- 引脚数：8
- 供应商器件包装：8-TSSOP
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：26 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：20V
- 最大功率耗散：600mW
- 额定电流：6A
- 功率耗散：1W
- 功率 - 最大：600mW
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：18mOhm @ 6A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1290pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：17nC @ 4.5V
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 连续放电电流(ID)：6A
- 阈值电压：900mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：20V
- 输入电容：1.29nF
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 漏源电阻：18mOhm
- 最大rds：18 mΩ
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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