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MOSFETs 晶体管阵列 / BSS8402DWQ-7
- 价格 起订量
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- 型号： BSS8402DWQ-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： MOSFET N/P-CH 60V/50V
- 库存地点： 内地
- 库存： 16587
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.94710
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：115mA 130mA
- Number of Elements：2
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：200mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 参考标准：AEC-Q101
- JESD-30代码：R-PDSO-G6
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：N and P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：13.5 Ω @ 500mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：50pF @ 25V
- 漏源电压 (Vdss)：60V 50V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：130mA
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.115A
- 漏极-源极导通最大电阻：7.5Ohm
- DS 击穿电压-最小值：60V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 反馈上限-最大值 (Crss)：5 pF
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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