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单MOSFET晶体管 / NTA4153NT1G
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: NTA4153NT1G
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: SC-75, SOT-416
- 描述: MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
- 库存地点: 内地
- 库存: 92593
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间:5 Weeks
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:SC-75, SOT-416
- 表面安装:YES
- 引脚数:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:915mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):1.5V 4.5V
- Number of Elements:1
- Power Dissipation (Max):300mW Tj
- Turn Off Delay Time:25 ns
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2005
- JESD-609代码:e3
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 电阻:127mOhm
- 端子表面处理:Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流:20V
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- 额定电流:915mA
- 引脚数量:3
- 元素配置:Single
- 操作模式:增强型MOSFET
- 功率耗散:300mW
- 接通延迟时间:3.7 ns
- 场效应管类型:N-Channel
- 晶体管应用:SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs:230m Ω @ 600mA, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:110pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:1.82nC @ 4.5V
- 上升时间:4.4ns
- Vgs(最大值):±6V
- 下降时间(典型值):4.4 ns
- 连续放电电流(ID):915mA
- 阈值电压:760mV
- 栅极至源极电压(Vgs):6V
- 漏源击穿电压:20V
- 栅源电压:760 mV
- 高度:800μm
- 长度:800μm
- 宽度:1.6mm
- 达到SVHC:无SVHC
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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