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单MOSFET晶体管 / CSD16301Q2
- 价格 起订量
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- 型号： CSD16301Q2
- 厂商： Texas Instruments
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-SMD, Flat Leads
- 描述： TEXAS INSTRUMENTS - CSD16301Q2 - Power MOSFET, N Channel, 25 V, 5 A, 0.019 ohm, SON, Surface Mount
- 库存地点： 内地
- 库存： 90107
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-SMD, Flat Leads
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：3V 8V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.3W Ta
- Turn Off Delay Time：4.1 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：NexFET™
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 端子位置：DUAL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 基本部件号：CSD16301
- 引脚数量：6
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.3W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：2.7 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：24m Ω @ 4A, 8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.55V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：340pF @ 12.5V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：2.8nC @ 4.5V
- 上升时间：4.4ns
- Vgs（最大值）：+10V, -8V
- 下降时间（典型值）：1.7 ns
- 连续放电电流(ID)：5A
- 阈值电压：1.2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：10V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：5A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.034Ohm
- 漏源击穿电压：25V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：20A
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 栅源电压：1.2 V
- 高度：800μm
- 长度：2mm
- 宽度：2mm
- 器件厚度：750μm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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