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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / VEC2616-TL-W
- 价格 起订量
- ￥ 4.55860 1+
- ￥ 4.30056 10+
- ￥ 4.05714 100+
- ￥ 3.82749 500+
- ￥ 3.61084 1000+
- 型号： VEC2616-TL-W
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SMD, Flat Lead
- 描述： MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
- 库存地点： 内地
- 库存： 23
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 4.55860
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SMD, Flat Lead
- 引脚数：8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3A 2.5A
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2015
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：1W
- Reach合规守则：not_compliant
- 场效应管类型：N and P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：80m Ω @ 1.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：505pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- 连续放电电流(ID)：2.5A
- 阈值电压：2.6V
- 场效应管特性：Logic Level Gate, 4V Drive
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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