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MOSFETs 晶体管阵列 / IRF7309TRPBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRF7309TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 12000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A 3A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：25 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2001
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：50mOhm
- 附加功能：超低电阻
- 最大功率耗散：1.4W
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：4A
- 基本部件号：IRF7309PBF
- 行间距：6.3 mm
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.4W
- 场效应管类型：N and P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：50m Ω @ 2.4A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：520pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：25nC @ 4.5V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：4A
- 阈值电压：1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4A
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：16A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Standard
- 栅源电压：1 V
- 高度：1.4986mm
- 长度：4.9784mm
- 宽度：4.05mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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