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MOSFETs 晶体管阵列 / ECH8693R-TL-W
- 价格 起订量
- ￥ 5.94340 1+
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- ￥ 5.28960 100+
- ￥ 4.99019 500+
- ￥ 4.70773 1000+
- 型号： ECH8693R-TL-W
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SMD, Flat Lead
- 描述： Trans MOSFET N-CH 24V 14A 8-Pin SOT-28 FL T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 51159
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.94340
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SMD, Flat Lead
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：18.65 μs
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2015
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：1.4W
- 引脚数量：8
- 通道数量：2
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：545 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual) Common Drain
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7m Ω @ 5A, 4.5V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：13nC @ 4.5V
- 上升时间：525ns
- 漏源电压 (Vdss)：24V
- 下降时间（典型值）：22.2 μs
- 连续放电电流(ID)：14A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12.5V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0091Ohm
- 漏源击穿电压：24V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：60A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Logic Level Gate, 2.5V Drive
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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