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MOSFETs 晶体管阵列 / DMN63D8LV-7
- 价格 起订量
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- 型号： DMN63D8LV-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-563, SOT-666
- 描述： MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
- 库存地点： 内地
- 库存： 33860
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.79467
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-563, SOT-666
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：12 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：450mW
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：DMN63D8L
- 参考标准：AEC-Q101
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：450mW
- 接通延迟时间：3.3 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.8 Ω @ 250mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：22pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：0.87nC @ 10V
- 上升时间：3.2ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 下降时间（典型值）：6.3 ns
- 连续放电电流(ID)：260mA
- 阈值电压：1.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：4.5Ohm
- 漏源击穿电压：30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：600μm
- 长度：1.7mm
- 宽度：1.25mm
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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