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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / NTMD6N02R2G
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： NTMD6N02R2G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET NFET 20V 0.035R TR
- 库存地点： 内地
- 库存： 13805
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：45 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 表面安装：YES
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.92A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：45 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：35MOhm
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 电压 - 额定直流：20V
- 最大功率耗散：2W
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：6A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：NTMD6N02
- 引脚数量：8
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 接通延迟时间：12 ns
- 功率 - 最大：730mW
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：35m Ω @ 6A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1100pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：20nC @ 4.5V
- 上升时间：50ns
- 下降时间（典型值）：80 ns
- 连续放电电流(ID)：6.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：20V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：30A
- 雪崩能量等级（Eas）：360 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 栅源电压：900 mV
- 高度：1.5mm
- 长度：5mm
- 宽度：4mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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