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MOSFETs 晶体管阵列 / BSG0811NDATMA1
- 价格 起订量
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- ￥ 14.04082 500+
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- 型号： BSG0811NDATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
- 库存地点： 内地
- 库存： 36000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 16.72285
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：26 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：19A 41A
- Number of Elements：2
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2013
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：7
- 最大功率耗散：2.5W
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PDSO-N7
- 配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：SOURCE
- 功率 - 最大：2.5W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3m Ω @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1100pF @ 12V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：8.4nC @ 4.5V
- 连续放电电流(ID)：41A
- 最大双电源电压：25V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：19A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.004Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：160A
- 雪崩能量等级（Eas）：30 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Logic Level Gate, 4.5V Drive
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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