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MOSFETs 晶体管阵列 / DMN63D8LDWQ-7
- 价格 起订量
- ￥ 2.42667 1+
- ￥ 2.28931 10+
- ￥ 2.15973 100+
- ￥ 2.03748 500+
- ￥ 1.92215 1000+
- 型号： DMN63D8LDWQ-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
- 库存地点： 内地
- 库存： 90000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.42667
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 供应商器件包装：SOT-363
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：220mA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：300mW
- 功率 - 最大：300mW
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.8Ohm @ 250mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：22pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：0.87nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 连续放电电流(ID)：220mA
- 输入电容：22pF
- 场效应管特性：Standard
- 最大rds：2.8 Ω
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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