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MOSFETs 晶体管阵列 / DMN3190LDW-7
- 价格 起订量
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- ￥ 2.40485 500+
- ￥ 2.26873 1000+
- 型号： DMN3190LDW-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
- 库存地点： 内地
- 库存： 42000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 2.86422
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：15 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 引脚数：6
- 质量：6.010099mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：30.3 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：320mW
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 引脚数量：6
- 参考标准：AEC-Q101
- 通道数量：2
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：4.5 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：190m Ω @ 1.3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：87pF @ 20V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：2nC @ 10V
- 上升时间：8.9ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 下降时间（典型值）：15.6 ns
- 连续放电电流(ID)：1A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：1A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.19Ohm
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：1mm
- 长度：2.2mm
- 宽度：1.35mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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