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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FW389-TL-2W
- 价格 起订量
- ￥ 8.22945 1+
- ￥ 7.76363 10+
- ￥ 7.32418 100+
- ￥ 6.90961 500+
- ￥ 6.51850 1000+
- 型号： FW389-TL-2W
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET Pwr MOSFET 100V 2A 225mOhm
- 库存地点： 内地
- 库存： 2500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.22945
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：11 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：1.8W
- 引脚数量：8
- 通道数量：2
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：N and P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：225m Ω @ 2A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：490pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：2A
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：2A
- 漏源击穿电压：100V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Logic Level Gate, 4V Drive
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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