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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / ECH8659-TL-W
- 价格 起订量
- ￥ 1.97823 1+
- ￥ 1.86625 10+
- ￥ 1.76062 100+
- ￥ 1.66096 500+
- ￥ 1.56694 1000+
- 型号： ECH8659-TL-W
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SMD, Flat Lead
- 描述： MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
- 库存地点： 内地
- 库存： 10
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.97823
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：23 Weeks
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SMD, Flat Lead
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2017
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 附加功能：防静电
- 最大功率耗散：1.3W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-XDSO-F8
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率 - 最大：1.3W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：24m Ω @ 3.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：710pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：11.8nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 连续放电电流(ID)：7A
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：7A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.024Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：40A
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Logic Level Gate, 4V Drive
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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