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MOSFETs 晶体管阵列 / BSC0911NDATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 15.01413 1+
- ￥ 14.16427 10+
- ￥ 13.36252 100+
- ￥ 12.60615 500+
- ￥ 11.89260 1000+
- 型号： BSC0911NDATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET LV POWER MOS
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 15.01413
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 触点镀层：Tin
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：25 ns
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18A 30A
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2013
- 系列：OptiMOS™
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：no
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 最大功率耗散：1W
- JESD-30代码：R-PDSO-N6
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 箱体转运：排水源头
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.2m Ω @ 20A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1600pF @ 12V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12nC @ 4.5V
- 上升时间：5.4ns
- 下降时间（典型值）：4 ns
- 连续放电电流(ID)：30A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：25V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Logic Level Gate, 4.5V Drive
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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