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MOSFETs 晶体管阵列 / CSD87331Q3D
- 价格 起订量
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- ￥ 8.73539 10+
- ￥ 8.24093 100+
- ￥ 7.77446 500+
- ￥ 7.33440 1000+
- 型号： CSD87331Q3D
- 厂商： Texas Instruments
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerLDFN
- 描述： MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
- 库存地点： 内地
- 库存： 10000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.25951
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerLDFN
- 引脚数：8
- Turn Off Delay Time：11.2 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：NexFET™
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 最大功率耗散：6W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 端子间距：0.65mm
- 基本部件号：CSD87331
- 引脚数量：8
- 输入电压-Nom：27V
- 模拟 IC - 其他类型：开关控制器
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：6W
- 接通延迟时间：3.8 ns
- 输入电压(Min)：12V
- 场效应管类型：2 N-Channel (Half Bridge)
- 输出电流-最大值：45A
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V, 1.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：518pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：3.2nC @ 4.5V
- 上升时间：4.7ns
- 供应电流-最大值(Isup)：15mA
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 下降时间（典型值）：2.4 ns
- 切换器配置：PUSH-PULL
- 连续放电电流(ID)：15A
- 阈值电压：2.1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：1.2V
- 开关频率-最大值：1500kHz
- 漏源击穿电压：30V
- 场效应管特性：Standard
- 高度：1.5mm
- 长度：3.3mm
- 宽度：3.3mm
- 器件厚度：1.5mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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