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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDMA6023PZT
- 价格 起订量
- ￥ 8.28505 1+
- ￥ 7.81609 10+
- ￥ 7.37367 100+
- ￥ 6.95629 500+
- ￥ 6.56254 1000+
- 型号： FDMA6023PZT
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-UDFN Exposed Pad
- 描述： Supplied as a Tape, Dual P-Channel MOSFET, 3.6 A, 20 V, 6-Pin MLP ON Semiconductor FDMA6023PZT
- 库存地点： 内地
- 库存： 4054
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.28505
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-UDFN Exposed Pad
- 引脚数：6
- 质量：40mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.6A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：75 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e4
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 最大功率耗散：1.4W
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.4W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：13 ns
- 功率 - 最大：700mW
- 场效应管类型：2 P-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：60m Ω @ 3.6A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：885pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：17nC @ 4.5V
- 上升时间：11ns
- 下降时间（典型值）：11 ns
- 连续放电电流(ID)：-3.6A
- 阈值电压：-500mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏源击穿电压：20V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 栅源电压：-500 mV
- 反馈上限-最大值 (Crss)：150 pF
- 高度：500μm
- 长度：2mm
- 宽度：2mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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