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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / IRF7103TRPBF
- 价格 起订量
- ￥ 6.78297 1+
- ￥ 6.39903 10+
- ￥ 6.03682 100+
- ￥ 5.69511 500+
- ￥ 5.37275 1000+
- 型号： IRF7103TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 90000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.78297
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- 制造商包装标识符：IRF7103TRPBF
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：15 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：1997
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：130mOhm
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 电压 - 额定直流：50V
- 最大功率耗散：2W
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：3A
- 基本部件号：IRF7103PBF
- 行间距：6.3 mm
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 接通延迟时间：5.1 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：130m Ω @ 3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：290pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：30nC @ 10V
- 上升时间：8ns
- 下降时间（典型值）：25 ns
- 连续放电电流(ID)：3A
- 阈值电压：3V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：3A
- 漏源击穿电压：50V
- 双电源电压：50V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 恢复时间：100 ns
- 场效应管特性：Standard
- 栅源电压：3 V
- 高度：1.4986mm
- 长度：4.9784mm
- 宽度：3.9878mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：Contains Lead, Lead Free
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