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MOSFETs 晶体管阵列 / FDC6333C
- 价格 起订量
- ￥ 5.90280 1+
- ￥ 5.56868 10+
- ￥ 5.25347 100+
- ￥ 4.95611 500+
- ￥ 4.67557 1000+
- 型号： FDC6333C
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： ON SEMICONDUCTOR - FDC6333C - Dual MOSFET, N and P Channel, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 44000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.90280
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数：6
- 质量：36mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.5A 2A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：11 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2017
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：95MOhm
- 最大功率耗散：960mW
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：2.5A
- 通道数量：2
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：960mW
- 接通延迟时间：4.5 ns
- 功率 - 最大：700mW
- 场效应管类型：N and P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：95m Ω @ 2.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：282pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6.6nC @ 10V
- 上升时间：13ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：13 ns
- 连续放电电流(ID)：2.5A
- 阈值电压：1.8V
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 漏源击穿电压：-30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 栅源电压：1.8 V
- 高度：1mm
- 长度：3mm
- 宽度：1.7mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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