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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDMD85100
- 价格 起订量
- ￥ 38.70322 1+
- ￥ 36.51247 10+
- ￥ 34.44572 100+
- ￥ 32.49597 500+
- ￥ 30.65657 1000+
- 型号： FDMD85100
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerWDFN
- 描述： MOSFET 2N-CH 100V
- 库存地点： 内地
- 库存： 350000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 38.70322
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerWDFN
- 引脚数：8
- 质量：94.85095mg
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：2.2W
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 功率 - 最大：2.2W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Half Bridge)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：9.9m Ω @ 10.4A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2230pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：31nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- 连续放电电流(ID)：10.4A
- 场效应管特性：Standard
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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