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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / STS10DN3LH5
- 价格 起订量
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- 型号： STS10DN3LH5
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 45000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：NRND (Last Updated: 8 months ago)
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：13 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：STripFET™ V
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：21MOhm
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 最大功率耗散：2.5W
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：STS10
- 引脚数量：8
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：4 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：21m Ω @ 5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：475pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：4.6nC @ 5V
- 上升时间：22ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 下降时间（典型值）：2.8 ns
- 连续放电电流(ID)：10A
- 栅极至源极电压(Vgs)：22V
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：40A
- 雪崩能量等级（Eas）：50 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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