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MOSFETs 晶体管阵列 / STS8DNF3LL
- 价格 起订量
- ￥ 10.93206 1+
- ￥ 10.31327 10+
- ￥ 9.72950 100+
- ￥ 9.17877 500+
- ￥ 8.65922 1000+
- 型号： STS8DNF3LL
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 1000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 10.93206
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：NRND (Last Updated: 8 months ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 质量：4.535924g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：21 ns
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：STripFET™ II
- JESD-609代码：e4
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：20mOhm
- 端子表面处理：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- 电压 - 额定直流：30V
- 最大功率耗散：1.6W
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：8A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：STS8DN
- 引脚数量：8
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 接通延迟时间：18 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：20m Ω @ 4A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：800pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：17nC @ 5V
- 上升时间：32ns
- 下降时间（典型值）：11 ns
- 连续放电电流(ID)：8A
- 栅极至源极电压(Vgs)：16V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：8A
- 漏源击穿电压：30V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 高度：6.35mm
- 长度：12.7mm
- 宽度：6.35mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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