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图片经供参考，以实物为准
MOSFETs 晶体管阵列 / FDD3510H
- 价格 起订量
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- 型号： FDD3510H
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- 描述： MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench
- 库存地点： 内地
- 库存： 1210
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- 质量：260.37mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.3A 2.8A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：25 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 系列：PowerTrench®
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：80MOhm
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最大功率耗散：1.3W
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- JESD-30代码：R-PSSO-G4
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：3.1W
- 场效应管类型：N and P-Channel, Common Drain
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：80m Ω @ 4.3A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：800pF @ 40V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：18nC @ 10V
- 上升时间：3ns
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：5 ns
- 连续放电电流(ID)：2.8A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.3A
- 漏源击穿电压：80V
- 雪崩能量等级（Eas）：37 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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